Texas Instruments FemtoFET CSD13383F4T N-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 2,9 A 500 mW, 3-Pin PICOSTAR
- RS Best.-Nr.:
- 900-9955
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD13383F4T
- Marke:
- Texas Instruments
Nicht mehr im Sortiment
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- 900-9955
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD13383F4T
- Marke:
- Texas Instruments
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
N-Kanal-Leistungs-MOSFET FemtoFET™, Texas Instruments
MOSFET-Transistoren, Texas Instruments
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 2,9 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 12 V |
| Gehäusegröße | PICOSTAR |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 65 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Verlustleistung max. | 500 mW |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -10 V, +10 V |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Länge | 0.64mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 2 nC @ 0 V |
| Breite | 1.04mm |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Serie | FemtoFET |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Höhe | 0.35mm |
| Diodendurchschlagsspannung | 1V |
- RS Best.-Nr.:
- 900-9955
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD13383F4T
- Marke:
- Texas Instruments