Infineon OptiMOS 5 BSC010N04LSATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 139 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 906-4381
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC010N04LSATMA1
- Marke:
- Infineon
40 lieferbar innerhalb von 6-8 Werktagen.
Im Warenkorb
Preis pro Stück (In einer VPE à 10)
CHF.1.806
| Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
| 10 - 40 | CHF.1.806 | CHF.18.029 |
| 50 - 90 | CHF.1.712 | CHF.17.126 |
| 100 - 240 | CHF.1.638 | CHF.16.412 |
| 250 - 490 | CHF.1.565 | CHF.15.687 |
| 500 + | CHF.1.46 | CHF.14.606 |
| *Bitte VPE beachten | ||
- RS Best.-Nr.:
- 906-4381
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC010N04LSATMA1
- Marke:
- Infineon
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: Ausgenommen
Produktdetails
Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™5
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 100 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 40 V |
| Gehäusegröße | TDSON |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 1,3 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Verlustleistung max. | 139 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Länge | 6.1mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 95 nC @ 10V |
| Breite | 5.35mm |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Serie | OptiMOS 5 |
| Diodendurchschlagsspannung | 1V |
| Höhe | 1.1mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |