OptiMOS 5 BSC010N04LSATMA1 N-Kanal MOSFET, 40 V / 100 A, 139 W, TDSON 8-Pin

  • RS Best.-Nr. 906-4381
  • Herst. Teile-Nr. BSC010N04LSATMA1
  • Marke Infineon
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: Ausgenommen
Produktdetails

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™5

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 100 A
Drain-Source-Spannung max. 40 V
Gehäusegröße TDSON
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 8
Drain-Source-Widerstand max. 1,3 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Verlustleistung max. 139 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Betriebstemperatur max. +150 °C
Länge 6.1mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs 95 nC @ 10V
Höhe 1.1mm
Breite 5.35mm
Transistor-Werkstoff Si
Serie OptiMOS 5
Betriebstemperatur min. –55 °C
Diodendurchschlagsspannung 1V
260 Lieferbar innerhalb von 5 Werktagen.
160 weitere lieferbar innerhalb von 3 Werktagen.
Preis pro: Stück (In einer VPE à 10)
CHF .2.013
(ohne MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 40
CHF.2.013
CHF.20.185
50 - 240
CHF.1.346
CHF.13.410
250 - 1240
CHF.1.299
CHF.13.001
1250 - 2490
CHF.1.264
CHF.12.650
2500 +
CHF.1.240
CHF.12.345
*Bitte VPE beachten
Verpackungsoptionen: