OptiMOS 5 BSC010N04LSATMA1 N-Kanal MOSFET, 40 V / 100 A, 139 W, TDSON 8-Pin

  • RS Best.-Nr. 906-4381P
  • Herst. Teile-Nr. BSC010N04LSATMA1
  • Marke Infineon
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: Ausgenommen
Produktdetails

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™5

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 100 A
Drain-Source-Spannung max. 40 V
Gehäusegröße TDSON
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 8
Drain-Source-Widerstand max. 1,3 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Verlustleistung max. 139 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Transistor-Werkstoff Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs 95 nC @ 10V
Betriebstemperatur max. +150 °C
Serie OptiMOS 5
Diodendurchschlagsspannung 1V
Länge 6.1mm
Höhe 1.1mm
Breite 5.35mm
Betriebstemperatur min. –55 °C
21860 lieferbar innerhalb von 5 Werktagen.
Preis pro: Stück (auf Rolle) Bestellmengen unter 150 Stück auf Gurtabschnitt
CHF .1.346
(ohne MwSt.)
Stück
Pro Stück
50 - 240
CHF.1.346
250 - 1240
CHF.1.299
1250 - 2490
CHF.1.264
2500 +
CHF.1.240
Verpackungsoptionen: