HEXFET IRFR5410PBF P-Kanal MOSFET, 100 V / 13 A, 66 W, DPAK (TO-252) 3-Pin

  • RS Best.-Nr. 912-8699
  • Herst. Teile-Nr. IRFR5410PBF
  • Marke Infineon
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland: MX
Produktdetails

P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 100 V bis 150 V, Infineon

Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst P-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ P
Dauer-Drainstrom max. 13 A
Drain-Source-Spannung max. 100 V
Gehäusegröße DPAK (TO-252)
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 3
Drain-Source-Widerstand max. 205 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 4V
Gate-Schwellenspannung min. 2V
Verlustleistung max. 66 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Länge 6.73mm
Höhe 6.22mm
Transistor-Werkstoff Si
Breite 2.39mm
Betriebstemperatur max. +150 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs 58 nC
Betriebstemperatur min. –55 °C
Serie HEXFET
225 lieferung erfolgt innerhalb von 3 Werktagen.
Preis pro: Stück (In einer Stange von 75)
CHF .1.264
(ohne MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
75 - 300
CHF.1.264
CHF.94.608
375 - 1425
CHF.0.995
CHF.74.867
1500 - 3675
CHF.0.609
CHF.45.636
3750 +
CHF.0.573
CHF.43.355
*Bitte VPE beachten