HEXFET IRFS4310ZTRLPBF N-Kanal MOSFET, 100 V / 127 A, 250 W, D2PAK (TO-263) 3-Pin

  • RS Best.-Nr. 915-5045
  • Herst. Teile-Nr. IRFS4310ZTRLPBF
  • Marke Infineon
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RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Produktdetails

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 100 V, Infineon

Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 127 A
Drain-Source-Spannung max. 100 V
Gehäusegröße D2PAK (TO-263)
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 3
Drain-Source-Widerstand max. 6 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 4V
Gate-Schwellenspannung min. 2V
Verlustleistung max. 250 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Breite 11.3mm
Länge 10.67mm
Serie HEXFET
Betriebstemperatur min. –55 °C
Betriebstemperatur max. +175 °C
Höhe 4.83mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs 120 nC @ 10 V
Diodendurchschlagsspannung 1.3V
Transistor-Werkstoff Si
504 lieferbar innerhalb von 5 Werktagen.
Preis pro: Stück (In einer VPE à 4)
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