- RS Best.-Nr.:
- 916-3725
- Herst. Teile-Nr.:
- DN2625DK6-G
- Marke:
- Microchip
- RS Best.-Nr.:
- 916-3725
- Herst. Teile-Nr.:
- DN2625DK6-G
- Marke:
- Microchip
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
DN2625 N-Kanal-MOSFET-Transistoren
Der Microchip DN2625 ist ein Verarmungstyp-MOSFET-Transistor (normalerweise ein), der eine erweiterte vertikale DMOS-Struktur verwendet. Das Design kombiniert die Strombelastbarkeit eines bipolaren Transistors mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizient von MOS-Geräten.
Merkmale
Niedrige Gate-Schwellenspannung
Entwickelt für Quellenantrieb
Niedrige Schaltverluste
Niedrige effektive Ausgangskapazität
Entwickelt für induktive Lasten
Entwickelt für Quellenantrieb
Niedrige Schaltverluste
Niedrige effektive Ausgangskapazität
Entwickelt für induktive Lasten
MOSFET-Transistoren, Microchip
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 1,1 A |
Drain-Source-Spannung max. | 250 V |
Gehäusegröße | DFN |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 8 |
Drain-Source-Widerstand max. | 3,5 Ω |
Channel-Modus | Depletion |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
Breite | 5.1mm |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 7,04 nC @ 1,5 V |
Länge | 5.1mm |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Transistor-Werkstoff | Si |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
Höhe | 0.85mm |
Diodendurchschlagsspannung | 1.8V |