- RS Best.-Nr.:
- 916-3879
- Herst. Teile-Nr.:
- CAS120M12BM2
- Marke:
- Wolfspeed
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Produktdetails
Leistungs-MOSFET-Module aus Siliziumkarbid, Wolfspeed
Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET-Module von Wolfspeed, der Power Division von Cree Inc. Diese SiC-MOSFET-Module sind in industriellen Standardgehäusen untergebracht und sind erhältlich in den Formaten Halb-Brücke (2-MOSFETs) und 3-phasig (6 MOSFETs); sie umfassen auch SiC-Sperrverzögerungsstromdioden. Typische Anwendungen umfassen Induktionsheizung, Solar- und Windenergiewechselrichter, DC/DC-Wandler, 3-phasige PFC, Leitungsregenerierungsantriebe, UPS und SMPS, Motorantriebe und Batterieladegeräte.
MOSFET-Ausschaltendstrom und Diodensperrverzögerungsstrom sind effektiv Null.
Ultraniedriger Verlust bei Hochfrequenzbetrieb
Einfache Parallelschaltung aufgrund SiC-Eigenschaften
Normalerweise Aus, ausfallsicherer Betrieb
Kupfergrundplatte und Aluminiumnitridisolator reduzieren die thermischen Anforderungen
Ultraniedriger Verlust bei Hochfrequenzbetrieb
Einfache Parallelschaltung aufgrund SiC-Eigenschaften
Normalerweise Aus, ausfallsicherer Betrieb
Kupfergrundplatte und Aluminiumnitridisolator reduzieren die thermischen Anforderungen
MOSFET-Transistoren, Wolfspeed
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 193 A |
Drain-Source-Spannung max. | 1200 V |
Gehäusegröße | Halbbrücke |
Montage-Typ | Schraubmontage |
Pinanzahl | 7 |
Drain-Source-Widerstand max. | 30 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 2.6V |
Gate-Schwellenspannung min. | 1.8V |
Verlustleistung max. | 925 W |
Transistor-Konfiguration | Serie |
Gate-Source Spannung max. | –10 V, +25 V |
Länge | 106.4mm |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 378 nC @ 20 V |
Breite | 61.4mm |
Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
Transistor-Werkstoff | SiC |
Höhe | 30mm |
Betriebstemperatur min. | –40 °C |
Diodendurchschlagsspannung | 2.4V |
- RS Best.-Nr.:
- 916-3879
- Herst. Teile-Nr.:
- CAS120M12BM2
- Marke:
- Wolfspeed