RS Components
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Teile-Nr.

HEXFET IRFR9024NPBF P-Kanal MOSFET, 55 V / 11 A, 38 W, DPAK (TO-252) 3-Pin


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RS Best.-Nr.:
919-4826
Herst. Teile-Nr.:
IRFR9024NPBF
Marke:
Infineon
Ursprungsland:
MX
StückPro StückPro Stange*
75 - 75CHF.0.983CHF.73.814
150 - 225CHF.0.632CHF.47.485
300 - 675CHF.0.597CHF.45.11
750 - 1425CHF.0.573CHF.42.828
1500 +CHF.0.55CHF.41.518
*Bitte VPE beachten

P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 40 V bis 55 V, Infineon


Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst P-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.


MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

EigenschaftWert
Channel-TypP
Dauer-Drainstrom max.11 A
Drain-Source-Spannung max.55 V
GehäusegrößeDPAK (TO-252)
Montage-TypSMD
Pinanzahl3
Drain-Source-Widerstand max.175 mΩ
Channel-ModusEnhancement
Gate-Schwellenspannung max.4V
Gate-Schwellenspannung min.2V
Verlustleistung max.38 W
Transistor-KonfigurationEinfach
Gate-Source Spannung max.-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip1
Breite6.22mm
Betriebstemperatur max.+150 °C
SerieHEXFET
Höhe2.39mm
Transistor-WerkstoffSi
Betriebstemperatur min.–55 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs19 nC @ 10 V
Länge6.73mm