MDmesh M5 STL36N55M5 N-Kanal MOSFET, 600 V / 22 A, 2,8 W, PowerFLAT HS 5-Pin

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Produktdetails

N-Kanal MDmesh™ M5-Serie, STMicroelectronics

Die Leistungs-MOSFETs MDmesh M5 sind für Hochleistungs-PFC- und -PWM-Topologien optimiert. Die Hauptmerkmale umfassen geringe Verluste in Durchlassrichtung pro Siliziumfläche und eine geringe Gate-Ladung. Sie wurden für energiebewusste, kompakte und zuverlässige Anwendungen mit harten Schaltvorgängen wie Solarstromrichter, Netzteile für Verbrauchergeräte und elektronische Beleuchtungssteuerungen entwickelt.

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 22 A
Drain-Source-Spannung max. 600 V
Gehäusegröße PowerFLAT HS
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 5
Drain-Source-Widerstand max. 90 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 5V
Gate-Schwellenspannung min. 3V
Verlustleistung max. 2,8 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. –25 V, +25 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Breite 8mm
Höhe 0.95mm
Serie MDmesh M5
Betriebstemperatur max. +150 °C
Länge 8mm
Transistor-Werkstoff Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs 62 nC @ 10 V
Voraussichtlich ab 15.04.2020 zur Lieferung verfügbar. Lieferung erfolgt innerhalb von 5 Werktagen.
Preis pro: Stück (Auf einer Rolle von 3000)
CHF .2.411
(ohne MwSt.)
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Pro Rolle*
3000 +
CHF.2.411
CHF.7'217.579
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