ON Semiconductor Power Switch IC NCP435FCT2G

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Produktdetails

Das NCP434 und das NCP435 sind sehr niedrige Ron-MOSFET, die über einen externen Logik-Pin gesteuert werden und die Optimierung der Batterielebensdauer und die Autonomie tragbarer Geräte ermöglichen. Dank einer Stromverbrauchsoptimierung mit PMOS-Struktur werden Leckströme eliminiert, indem angeschlossene ICs auf der Batterie isoliert werden, wenn sie nicht verwendet werden. Der Ausgangsentladungspfad ist in der Version NCP435 verfügbar.

1,2 V–3,6 V Betriebsbereich29 m Ohm RDSON bei 3,3 VGleichstrom bis zu 2 AAutomatische Entladung beim Ausgang (NCP435)WLCSP4 0,96 x 0,96 mmAnwendungsbereichSmartphonesComputerTabletsTragbare Geräte

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Netzschalter-Typ Hochspannungsseite
Topologie des Netzschalters Hochspannungsseite
Einschaltwiderstand 120mΩ
Anzahl der Kanäle 1
Arbeitsspannnung max. 3,6 V
Montage-Typ SMD
Gehäusegröße WLCSP
Pinanzahl 4
Betriebstemperatur max. 125 °C
Betriebstemperatur min. –40 °C
Abmessungen 0.96 x 0.96 x 0.33mm
Serie NCP435
3000 lieferbar innerhalb von 5 Werktagen.
Preis pro: Stück (In einer VPE à 50)
CHF .0.176
(ohne MwSt.)
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50 +
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CHF.8.952
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