- RS Best.-Nr.:
- 194-9069
- Herst. Teile-Nr.:
- CY14B101Q2A-SXI
- Marke:
- Cypress Semiconductor
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 194-9069
- Herst. Teile-Nr.:
- CY14B101Q2A-SXI
- Marke:
- Cypress Semiconductor
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der Cypress CY14X101Q kombiniert einen 1-Mbit-NVSRAM mit einem nicht flüchtigen Element in jeder Speicherzelle mit serieller SPI-Schnittstelle. Der Speicher ist in 128 K Wörter mit jeweils 8 Bit organisiert. Die integrierten nicht flüchtigen Elemente enthalten die Quantum Trap Technologie und erzeugen einen zuverlässigen, nicht flüchtigen Speicher. Das SRAM bietet unendliche Lese- und Schreibzyklen, während die QuantumTrap Zellen eine äußerst zuverlässige, nichtflüchtige Speicherung von Daten bieten. Die Datenübertragung vom SRAM zu den nichtflüchtigen Elementen (STORE-Betrieb) erfolgt automatisch beim Ausschalten (außer CY14X101Q1A). Beim Einschalten werden Daten aus dem nichtflüchtigen Speicher (RECALL-Betrieb) in das SRAM wiederhergestellt. Sie können die STORE- und RECALL-Vorgänge auch über SPI-Befehle initiieren.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Speicher Größe | 1MBit |
Organisation | 128K x 8 bit |
Interface-Typ | SPI |
Datenbus-Breite | 8bit |
Montage-Typ | SMD |
Gehäusegröße | SOIC |
Pinanzahl | 8 |
Abmessungen | 4.97 x 3.98 x 1.47mm |
Länge | 4.97mm |
Breite | 3.98mm |
Höhe | 1.47mm |
Arbeitsspannnung max. | 3,6 V |
Betriebstemperatur max. | +85 °C |
Anzahl der Bits pro Wort | 8bit |
Betriebstemperatur min. | –40 °C |
Arbeitsspannnung min. | 2,7 V |
Anzahl der Wörter | 128K |