onsemi Operationsverstärker SMD SOIC, einzeln typ. 3 → 44 V, 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 787-8838P
- Herst. Teile-Nr.:
- NCV33072DR2G
- Marke:
- onsemi
Voraussichtlich ab 01.07.2024 zur Lieferung verfügbar. Lieferung erfolgt innerhalb von 6-8 Werktagen.
Im Warenkorb
Preis pro Stück (auf Rolle) Bestellmengen unter 150 Stück auf Gurtabschnitt
CHF.0.483
| Stück | Pro Stück |
| 10 - 95 | CHF.0.483 |
| 100 - 495 | CHF.0.305 |
| 500 - 995 | CHF.0.294 |
| 1000 + | CHF.0.221 |
- RS Best.-Nr.:
- 787-8838P
- Herst. Teile-Nr.:
- NCV33072DR2G
- Marke:
- onsemi
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Operationsverstärker MC33071/2/4, MC34071/2/4, NCV33072/4, einfache Versorgungsspannung von 3 V bis 44 V, ON Semiconductor
Die Operationsverstärker ON Semiconductor Serie MC33071/72/74, MC34071/72/74, NCV33072/74A sind in Einfach-, Zweifach- und Vierfachkonfigurationen erhältlich. Sie bieten ein Verstärkungs-Bandbreite-Produkt von 4,5 MHz, 13 V/μs Anstiegsgeschwindigkeit und eine kurze Ausregelzeit ohne den Einsatz von JFET-Gerätetechnologie.
Diese Serie kann von über geteilte Netzteile betrieben werden, ist aber auch für den Betrieb mit Einfachnetzteilen geeignet, da die Gleichtakt-Eingangsspannung das Erdungspotenzial (VEE) umfasst. Diese Operationsverstärker bieten einen hohen Eingangswiderstand, eine geringe Eingangs-Offset-Spannung und eine hohe Verstärkung. Alle Varianten sind in DIP-, SOIC- und TSSOP-Kunststoffgehäusen für SMD erhältlich.
Diese Serie kann von über geteilte Netzteile betrieben werden, ist aber auch für den Betrieb mit Einfachnetzteilen geeignet, da die Gleichtakt-Eingangsspannung das Erdungspotenzial (VEE) umfasst. Diese Operationsverstärker bieten einen hohen Eingangswiderstand, eine geringe Eingangs-Offset-Spannung und eine hohe Verstärkung. Alle Varianten sind in DIP-, SOIC- und TSSOP-Kunststoffgehäusen für SMD erhältlich.
Kurze Ausregelzeit: 1,1 μs bis 0,1 %
Großer einfacher Spannungsversorgungsbereich: 3 V bis 44 V
Großer Gleichtakt-Eingangsspannungsbereich: einschließlich Masse (VEE)
Niedrige Eingangs-Offset-Spannung: max. 3 mV (Suffix A)
Großes Ausgangsspannungsschwingen: –14,7 V bis +14 V (mit ±15-V-Netzteilen)
Treiberfähigkeit mit großer Kapazität: 0 pF bis 10000 pF
Geringe harmonische Gesamtverzerrung: 0,02 %
Ausgezeichnete Phasenreserve: 60°
Ausgezeichnete Verstärkungsreserve: 12 dB
Ausgangs-Kurzschlussschutz
Großer einfacher Spannungsversorgungsbereich: 3 V bis 44 V
Großer Gleichtakt-Eingangsspannungsbereich: einschließlich Masse (VEE)
Niedrige Eingangs-Offset-Spannung: max. 3 mV (Suffix A)
Großes Ausgangsspannungsschwingen: –14,7 V bis +14 V (mit ±15-V-Netzteilen)
Treiberfähigkeit mit großer Kapazität: 0 pF bis 10000 pF
Geringe harmonische Gesamtverzerrung: 0,02 %
Ausgezeichnete Phasenreserve: 60°
Ausgezeichnete Verstärkungsreserve: 12 dB
Ausgangs-Kurzschlussschutz
Operationsverstärker, ON Semiconductor
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Montage-Typ | SMD |
| Gehäusegröße | SOIC |
| Stromversorgungs-Typ | Single |
| Anzahl der Kanäle pro Chip | 2 |
| Pinanzahl | 8 |
| Versorgungsspannung einzeln typ. | 3 → 44 V |
| Verstärkungsbandbreitenprodukt typ. | 4.5MHz |
| Flankensteilheit typ. | 10V/µs |
| Betriebstemperatur max. | +125 °C |
| Betriebstemperatur min. | -40 °C |
| Spannungsverstärkung typ. | 100 dB |
| Rail to Rail | Nein |
| Breite | 4mm |
| Abmessungen | 5 x 4 x 1.5mm |
| Eingansspannungsrauschen typ. | 32nV/√Hz |
| Länge | 5mm |
| Höhe | 1.5mm |