Infineon SMD Fototransistor DC-In / MOSFET-Out, 8-Pin DIP, Isolation 4 kV eff
- RS Best.-Nr.:
- 165-5432
- Herst. Teile-Nr.:
- PVD1352NSPBF
- Marke:
- Infineon
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 165-5432
- Herst. Teile-Nr.:
- PVD1352NSPBF
- Marke:
- Infineon
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- PH
Produktdetails
Transistorausgang – FET und MOSFET, Infineon
Bei der Serie PDV13 von Infineon handelt es sich um einpolige, normalerweise geöffnete Halbleiter-Ersetzungen für elektromechanische Relais für allgemeine Schaltanwendungen von analogen Signalen. Es verwendet die HEXFET Leistungs-MOSFET von Infineon als Ausgangsschalter, angetrieben von einem integrierten Photovoltaik-Schaltkreisgenerator mit einer neuartigen Konstruktion.
Prellfreier Betrieb
1010 Aus-Zustand-Widerstand
1000 V/μs dV/dt
Eingangsempfindlichkeit 5 mA
4.000 V eff E/A-Isolierung
Zuverlässiges Halbleiterrelais
1010 Aus-Zustand-Widerstand
1000 V/μs dV/dt
Eingangsempfindlichkeit 5 mA
4.000 V eff E/A-Isolierung
Zuverlässiges Halbleiterrelais
Optokoppler, International Rectifier
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Montage Typ | SMD |
| Ausgangsschaltung | MOSFET |
| Anzahl der Kanäle | 1 |
| Anzahl der Pins | 8 |
| Gehäusetyp | DIP |
| Eingangsstrom Typ | DC |
| Regelanstiegszeit | 150µs |
| Eingangsstrom max. | 25 mA |
| Isolationsspannung | 4 kV eff |
| Fallzeit typ. | 125µs |