Infineon THT Dual Optokoppler DC-In / IGBT-Gate-Treiber, MOSFET-Out, 8-Pin DIP, Isolation 2500 V eff
- RS Best.-Nr.:
- 913-4711
- Herst. Teile-Nr.:
- PVI1050NPBF
- Marke:
- Infineon
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 913-4711
- Herst. Teile-Nr.:
- PVI1050NPBF
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- MX
Produktdetails
Transistorausgang – FET und MOSFET, Infineon
Bei der Serie PDV13 von Infineon handelt es sich um einpolige, normalerweise geöffnete Halbleiter-Ersetzungen für elektromechanische Relais für allgemeine Schaltanwendungen von analogen Signalen. Es verwendet die HEXFET Leistungs-MOSFET von Infineon als Ausgangsschalter, angetrieben von einem integrierten Photovoltaik-Schaltkreisgenerator mit einer neuartigen Konstruktion.
Prellfreier Betrieb
1010 Aus-Zustand-Widerstand
1000 V/μs dV/dt
Eingangsempfindlichkeit 5 mA
4.000 V eff E/A-Isolierung
Zuverlässiges Halbleiterrelais
1010 Aus-Zustand-Widerstand
1000 V/μs dV/dt
Eingangsempfindlichkeit 5 mA
4.000 V eff E/A-Isolierung
Zuverlässiges Halbleiterrelais
Der Photovoltaik-Isolator von Infineon erzeugt bei Empfang eines DC-Eingangssignals eine elektrisch isolierte Gleichspannung. Er ist in der Lage, Gates von Leistungs-MOSFETs oder IGBTs direkt zu steuern. Er nutzt einen monolithischen Photovoltaik-Generator mit integrierter Schaltung in neuartiger Bauweise als Ausgang. Der Ausgang wird durch Strahlung von einer GaAlAs-Leuchtdiode gesteuert, die optisch vom Photovoltaik-Generator isoliert ist. Die Serie PVI eignet sich ideal für Anwendungen, die ein Hochstrom- und/oder Hochspannungsschalten mit optischer Isolierung zwischen den niedrigen Antriebsstromkreisen und Hochenergie- oder Hochspannungslastschaltungen erfordern. Der Artikel kann zur direkten Steuerung von Gates von Leistungs-MOSFETs verwendet werden.
Isolierte Spannungsquelle
4000 V (Effektivwert) E/A-Isolierung
Monolithische Bauweise
1200 V (DC) Ausgangs-/Ausgangs-Isolation
Halbleiter-Zuverlässigkeit
Integrierter schneller Abschaltkreis
4000 V (Effektivwert) E/A-Isolierung
Monolithische Bauweise
1200 V (DC) Ausgangs-/Ausgangs-Isolation
Halbleiter-Zuverlässigkeit
Integrierter schneller Abschaltkreis
Optokoppler, International Rectifier
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Montage Typ | THT |
Ausgangsschaltung | IGBT-Gate-Treiber, MOSFET |
Durchlassspannung max. | 8V |
Anzahl der Kanäle | 2 |
Anzahl der Pins | 8 |
Gehäusetyp | DIP |
Eingangsstrom Typ | DC |
Regelanstiegszeit | 90 μs, 160 μs, 300 μs |
Eingangsstrom max. | 50 mA dc |
Isolationsspannung | 2500 V eff |
Fallzeit typ. | 220µs |