Infineon Schaltdiode Einfach 1 Element/Chip THT TO-247 3-Pin Siliziumverbindung 2.3V
- RS Best.-Nr.:
- 145-8929
- Herst. Teile-Nr.:
- IDW40E65D2FKSA1
- Marke:
- Infineon
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| 30 - 30 | CHF.2.079 | CHF.62.496 |
| 60 - 120 | CHF.1.974 | CHF.59.378 |
| 150 - 270 | CHF.1.89 | CHF.56.858 |
| 300 - 570 | CHF.1.817 | CHF.54.369 |
| 600 + | CHF.1.691 | CHF.50.621 |
| *Bitte VPE beachten | ||
- RS Best.-Nr.:
- 145-8929
- Herst. Teile-Nr.:
- IDW40E65D2FKSA1
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- MY
Produktdetails
Schnell schaltende, impulsgebergesteuerte Dioden, Infineon
Die impulsgebergesteuerten Infineon Schaltdioden sind die Familien Rapid 1 und Rapid 2 sowie die 600 V/1200 V Ultrasoft-Dioden. Die Dioden Arbeiten in verschiedenen Anwendungen wie Telekommunikation, USV, Schweißen, AC/DC und die Ultrasoft-Version arbeitet in Motorantriebsanwendungen bis zu 30 kHz.
Rapid 1-Diode schaltet zwischen 18 kHz und 40 kHz
1,35 V temperaturstabile Durchlassspannung
Ideal für PFC-Topologien (Leistungsfaktorkorrektur)
Die Rapid 2-Diode schaltet zwischen 40 kHz und 100 kHz
Geringe Umkehr-Erholungsladungen: Durchlassspannungsverhältnis für BiC-Leistung
Geringe Umkehr-Erholzeit
Geringe Einschaltverluste auf dem Starthilfeschalter
Extrem schnelle Diode 600 V/1200 V impulsgebergesteuerte Technologie
Zugelassen gemäß JEDEC-Standard
Gute Abschirmung gegenüber elektromagnetischen Störungen
Geringe Leitungsverluste
Einfache Parallelschaltung
1,35 V temperaturstabile Durchlassspannung
Ideal für PFC-Topologien (Leistungsfaktorkorrektur)
Die Rapid 2-Diode schaltet zwischen 40 kHz und 100 kHz
Geringe Umkehr-Erholungsladungen: Durchlassspannungsverhältnis für BiC-Leistung
Geringe Umkehr-Erholzeit
Geringe Einschaltverluste auf dem Starthilfeschalter
Extrem schnelle Diode 600 V/1200 V impulsgebergesteuerte Technologie
Zugelassen gemäß JEDEC-Standard
Gute Abschirmung gegenüber elektromagnetischen Störungen
Geringe Leitungsverluste
Einfache Parallelschaltung
Dioden und Gleichrichter, Infineon
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Diodenkonfiguration | Einfach |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Montage-Typ | THT |
| Gehäusegröße | TO-247 |
| Diodentechnologie | Siliziumverbindung |
| Pinanzahl | 3 |
| Maximaler Spannungsabfall | 2.3V |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
| Länge | 16.13mm |
| Breite | 5.21mm |
| Höhe | 21.1mm |
| Abmessungen | 16.13 x 5.21 x 21.1mm |
| Verlustleistung | 180W |
- RS Best.-Nr.:
- 145-8929
- Herst. Teile-Nr.:
- IDW40E65D2FKSA1
- Marke:
- Infineon