- RS Best.-Nr.:
- 170-4881
- Herst. Teile-Nr.:
- BAS21VD,135
- Marke:
- Nexperia
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- MY
Produktdetails
Lösungen für Hochspannungssysteme. Unsere Dioden für ≥ 100 V werden mit planarer Technologie hergestellt und bieten eine Schaltgeschwindigkeit von bis zu 4 ns (max.). Sie unterstützen kundenspezifische Stromkreisdesigns mit hoher Dichte und sind in hermetisch abgedichteten Gehäusen gekapselt.
Dreifache Hochspannungs-Schaltdioden, gekapselt in einem kleinen SOT457 (SC-74/TSOP6) SMD-Kunststoffgehäuse.
Hohe Schaltgeschwindigkeit: trr ≤ 50 ns
Niedrige Kapazität: Cd ≤ 5 pF
Sperrspannung: VR ≤ 200 V
Sich wiederholende maximale Sperrspannung: VRRM ≤ 250 V
Wiederholender Spitzendurchlassstrom: IFRM ≤ 1 A
Kleines SMD-Kunststoffgehäuse
Hochspannungsschaltung in SMD-Stromkreisen
Kfz
Kommunikation
Niedrige Kapazität: Cd ≤ 5 pF
Sperrspannung: VR ≤ 200 V
Sich wiederholende maximale Sperrspannung: VRRM ≤ 250 V
Wiederholender Spitzendurchlassstrom: IFRM ≤ 1 A
Kleines SMD-Kunststoffgehäuse
Hochspannungsschaltung in SMD-Stromkreisen
Kfz
Kommunikation
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Durchlassstrom max. | 200mA |
Montage-Typ | SMD |
Anzahl der Elemente pro Chip | 3 |
Sperrspannung max. | 200V |
Gehäusegröße | SOT-457, TSOP |
Pinanzahl | 6 |
Diodenkapazität max. | 5pF |
Betriebstemperatur min. | –65 °C |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Länge | 3mm |
Breite | 1.7mm |
Höhe | 1mm |
Abmessungen | 3.1 x 1.7 x 1mm |
Automobilstandard | AEC-Q101 |
Verlustleistung | 295mW |