- RS Best.-Nr.:
- 170-7959
- Herst. Teile-Nr.:
- BAV70,235
- Marke:
- Nexperia
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Mittels Planartechnologie hergestellte Hochgeschwindigkeitsschaltdioden mit einer maximalen Schaltgeschwindigkeit von 4 ns. Unterstützt kundenspezifische Schaltungskonstruktionen mit hoher Dichte, die in hermetisch verschlossenen Gehäusen vergossen sind.
Hochgeschwindigkeitsschaltdioden, vergossen in kleinen SMD-Kunststoffgehäusen.
Hohe Schaltgeschwindigkeit: trr ≤ 4 nsNiedrige Kapazität: Cd ≤ 1,5 pFNiedriger LeckstromSperrspannung: VR ≤ 100 VKleine SMD-KunststoffgehäuseZielanwendungsbereicheHochgeschwindigkeitsschaltenUniverselles Schalten
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Durchlassstrom max. | 215mA |
Montage-Typ | SMD |
Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
Sperrspannung max. | 100V |
Gehäusegröße | SOT-23 |
Pinanzahl | 6 |
Diodenkapazität max. | 1.5pF |
Betriebstemperatur min. | –65 °C |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Länge | 3mm |
Breite | 1.4mm |
Höhe | 1.1mm |
Abmessungen | 3 x 1.4 x 1.1mm |
Automobilstandard | AEC-Q101 |
Verlustleistung | 250mW |