- RS Best.-Nr.:
- 902-6496
- Herst. Teile-Nr.:
- 1N4154TR
- Marke:
- Vishay
Nicht mehr im Sortiment
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- 902-6496
- Herst. Teile-Nr.:
- 1N4154TR
- Marke:
- Vishay
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
Glaspassivierte Schnellschalter-Kunststoffgleichrichter
Funktionen
Superektifier-Struktur für hohe Zuverlässigkeit
Glaspassivierte Sperrschicht ohne Hohlraum
Schnelles Schalten für hohen Wirkungsgrad
Niedriger Leckstrom, typischer IR weniger als 0,2 μA
Hohe Durchlass-Stoßspannungsfestigkeit
Tauchlöten bei 275 °C für max. 10 s, gemäß JESD 22-B106
Typische Anwendungen:
Hochspannungsgleichrichtung von G2-Raster-CRT und TV, Klemmvorrichtung
Stromkreis des Kamerablitzes.
Mechanische Daten
Gehäuse: Do-204AL, geformtes Epoxidharz über Glaskörper
Formmasse erfüllt Entflammbarkeitsklasse UL 94 V-0
Sockel P/N-E3 - RoHS-konform, kommerzielle Ausführung
Anschlussklemmen: Matt verzinnte Leitungen, lötbar gemäß
J-STD-002 und JESD 22-B102
E3-Suffix erfüllt Whisker-Test JESD 201 Klasse 1A.
Polarität: Farbband kennzeichnet Kathodenende
Superektifier-Struktur für hohe Zuverlässigkeit
Glaspassivierte Sperrschicht ohne Hohlraum
Schnelles Schalten für hohen Wirkungsgrad
Niedriger Leckstrom, typischer IR weniger als 0,2 μA
Hohe Durchlass-Stoßspannungsfestigkeit
Tauchlöten bei 275 °C für max. 10 s, gemäß JESD 22-B106
Typische Anwendungen:
Hochspannungsgleichrichtung von G2-Raster-CRT und TV, Klemmvorrichtung
Stromkreis des Kamerablitzes.
Mechanische Daten
Gehäuse: Do-204AL, geformtes Epoxidharz über Glaskörper
Formmasse erfüllt Entflammbarkeitsklasse UL 94 V-0
Sockel P/N-E3 - RoHS-konform, kommerzielle Ausführung
Anschlussklemmen: Matt verzinnte Leitungen, lötbar gemäß
J-STD-002 und JESD 22-B102
E3-Suffix erfüllt Whisker-Test JESD 201 Klasse 1A.
Polarität: Farbband kennzeichnet Kathodenende
Dioden und Gleichrichter, Vishay Semiconductor
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Durchlassstrom max. | 300mA |
Diodenkonfiguration | Einfach |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Montage-Typ | THT |
Sperrspannung max. | 25V |
Gehäusegröße | DO-35 |
Diodentechnologie | Siliziumverbindung |
Pinanzahl | 2 |
Maximaler Spannungsabfall | 1V |
Diodenkapazität max. | 4pF |
Betriebstemperatur max. | +175 °C |
Länge | 3.9mm |
Abmessungen | 1.7 (Dia.) x 3.9mm |
Durchmesser | 1.7mm |
Verlustleistung | 500mW |