Wolfspeed THT SiC-Schottky Diode , 1200V / 14A, 2-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 919-9755
- Herst. Teile-Nr.:
- C4D10120A
- Marke:
- Wolfspeed
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CHF.10.364
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| 50 + | CHF.10.364 | CHF.518.385 |
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- RS Best.-Nr.:
- 919-9755
- Herst. Teile-Nr.:
- C4D10120A
- Marke:
- Wolfspeed
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
Siliziumkarbid-Schottky-Dioden Z-Rec™, Wolfspeed
Eine Serie von Wolfspeed-SiC (Siliziumkarbid)-Schottky-Dioden, die im Gegensatz zu standardmäßigen Schottky-Barrier-Dioden erhebliche Verbesserungen bieten. SiC-Dioden bieten eine viel höhere Durchbruchfeldstärke und ein größeres Wärmeleitvermögen gekoppelt mit einer erheblichen Verringerung des Leistungsverlusts bei hohen Schaltfrequenzen. SiC-Dioden sind die beste Wahl für Anwendungen mit hoher Effizienz und hoher Spannung wie beispielsweise Schaltnetzteile und Hochgeschwindigkeitswechselrichter.
• Nennspannungen: 600, 650, 1200 und 1700
• Sperrverzögerungsstrom und Durchlasswiederkehrspannung betragen null
• Temperaturunabhängiges Schaltverhalten
• Extrem schnelle Schaltzeiten mit minimalen Verlusten
• Positiver Temperaturkoeffizient, Durchlassspannung
• Geräte können ohne unkontrollierbare thermische Situation parallel geschaltet werden
• Verringerung der Kühlkörperanforderungen
• Optimiert für PFC-Verstärkerdiodenanwendungen
• Sperrverzögerungsstrom und Durchlasswiederkehrspannung betragen null
• Temperaturunabhängiges Schaltverhalten
• Extrem schnelle Schaltzeiten mit minimalen Verlusten
• Positiver Temperaturkoeffizient, Durchlassspannung
• Geräte können ohne unkontrollierbare thermische Situation parallel geschaltet werden
• Verringerung der Kühlkörperanforderungen
• Optimiert für PFC-Verstärkerdiodenanwendungen
Dioden und Gleichrichter, Cree Wolfspeed
Technische Daten
| Eigenschaft | Wert |
| Montage-Typ | THT |
| Gehäusegröße | TO-220 |
| Dauer-Durchlassstrom max. | 14A |
| Spitzen-Sperrspannung periodisch | 1200V |
| Diodenkonfiguration | Einfach |
| Gleichrichter-Typ | Schottky-Diode |
| Diode Typ | SiC-Schottky |
| Pinanzahl | 2 |
| Maximaler Spannungsabfall | 3V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Diodentechnologie | SiC-Schottky |
| Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch | 71A |