- RS Best.-Nr.:
- 188-2596
- Herst. Teile-Nr.:
- W9812G2KB-6I
- Marke:
- Winbond
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 188-2596
- Herst. Teile-Nr.:
- W9812G2KB-6I
- Marke:
- Winbond
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
3,3 V ±0,3 V Netzteil
1.048.576 Wörter x 4 Banken x 32-Bit-Organisation
Selbstaktualisierungsstrom: Standard und niedrige Leistung
CAS-Latenz: 2 und 3
Burst-Länge: 1, 2, 4, 8 und ganze Seite
Sequenzielle und Interleave-Burst
Byte-Daten gesteuert durch DQM0-3
Automatische Vorladung und kontrollierte Vorladung
Burst-Lese-, Einzelschreibbetrieb
4K-Aktualisierungszyklen/64 ms
Schnittstelle: LVTTL
Verpackt in TFBGA 90-Kugel (8 x 13 mm2), mit bleifreien Materialien.
Dual-Matrize-Gehäuse (DDP), zwei Stück 64-M-Bit-Chip in einem Gehäuse abgedichtet
1.048.576 Wörter x 4 Banken x 32-Bit-Organisation
Selbstaktualisierungsstrom: Standard und niedrige Leistung
CAS-Latenz: 2 und 3
Burst-Länge: 1, 2, 4, 8 und ganze Seite
Sequenzielle und Interleave-Burst
Byte-Daten gesteuert durch DQM0-3
Automatische Vorladung und kontrollierte Vorladung
Burst-Lese-, Einzelschreibbetrieb
4K-Aktualisierungszyklen/64 ms
Schnittstelle: LVTTL
Verpackt in TFBGA 90-Kugel (8 x 13 mm2), mit bleifreien Materialien.
Dual-Matrize-Gehäuse (DDP), zwei Stück 64-M-Bit-Chip in einem Gehäuse abgedichtet
Der W9812G2KB ist ein 128 M SDRAM und eine Geschwindigkeit von -6/-6I.
3,3-V± 0,3-V-Netzteil 1.048.576 Wörter x 4 Banken x 32-Bit-Organisation
Selbstaktualisierungsmodus
CAS-Latenz: 2 und 3
Burst-Länge: 1, 2, 4, 8 und ganze Seite
Sequenzielle und Interleave-Burst
Byte-Daten gesteuert durch DQM0-3
Automatische Vorladung und kontrollierte Vorladung
Burst-Lese-, Einzelschreibbetrieb
4K-Aktualisierungszyklen/64 ms
Schnittstelle: LVTTL
Dual-Matrize-Gehäuse (DDP), zwei Stück 64-M-Bit-Chip, abgedichtet in einem
Gehäuse
Selbstaktualisierungsmodus
CAS-Latenz: 2 und 3
Burst-Länge: 1, 2, 4, 8 und ganze Seite
Sequenzielle und Interleave-Burst
Byte-Daten gesteuert durch DQM0-3
Automatische Vorladung und kontrollierte Vorladung
Burst-Lese-, Einzelschreibbetrieb
4K-Aktualisierungszyklen/64 ms
Schnittstelle: LVTTL
Dual-Matrize-Gehäuse (DDP), zwei Stück 64-M-Bit-Chip, abgedichtet in einem
Gehäuse
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Speicher Größe | 128MBit |
Organisation | 8M x 16 Bit |
Datenumfang | 166MHz |
Anzahl der Bits pro Wort | 8bit |
Anzahl der Wörter | 16M |
Montage-Typ | SMD |
Gehäusegröße | TFBGA |
Pinanzahl | 90 |
Abmessungen | 13.05 x 8.05 x 0.6mm |
Höhe | 0.6mm |
Länge | 13.05mm |
Arbeitsspannnung min. | 3 V |
Arbeitsspannnung max. | 3,6 V |
Breite | 8.05mm |
Betriebstemperatur max. | +85 °C |
Betriebstemperatur min. | –40 °C |