Winbond SDRAM 512MBit 64 MB x 8 Bit LPDDR 200MHz 8bit Bits/Wort 5ns VFBGA 90-Pin, 1,7 V bis 1,95 V

VDD = 1,7 ∼ 1,95 V
VDDQ = 1,7-1,95 V
Datenbreite: X16 / x32
Taktrate: 200 MHz (-5), 166 MHz (-6)
Refresh-Modus serienmäßig
Teil-Array-Selbstaktualisierung (PASR)
Automatische temperaturkompensierte Selbstaktualisierung (ATCSR)
Abschaltmodus
Deep-Power-Down-Modus (DPD-Modus)
Programmierbare Treiberleistung des Ausgangspuffers
Vier interne Banken für gleichzeitigen Betrieb
Datenmaske (DM) zum Schreiben von Daten
Taktstoppfunktion während Leerlaufzeiten
Automatische Vorladeoption für jeden Burst-Zugriff
Doppelte Datenrate für Datenausgabe
Differenzielle Takteingänge (CK und CK)
Bidirektional, Datenstrobe (DQS)
CAS-Latenz: 2 und 3
Burst-Länge: 2, 4, 8 und 16
Burst-Typ: Sequentiell oder Interleave
8 K Aktualisierungszyklen/64 ms
Schnittstelle: LVCMOS-kompatibel
Supportpaket:
60 Kugeln VFBGA (x16)
90 Kugeln VFBGA (x32)
Betriebstemperaturbereich
Erweitert: -25 °C ≤ TCASE ≤ 85 °C.
Industrie: -40 °C ≤ TCASE ≤ 85 °C.

Dies ist ein 512 MB DDR SDRAM mit geringer Leistungsaufnahme, organisiert als 2 M Wörter x 4 Bänke x 32 Bit.

Burst-Typ: Sequentiell oder Interleave
Refresh-Modus serienmäßig
PASR, ATCSR, Abschaltmodus, DPD
Programmierbare Treiberleistung des Ausgangspuffers
Vier interne Banken für gleichzeitigen Betrieb
Bidirektional, die Datenvalidierung (DQS) wird mit Daten gesendet bzw. empfangen, um Daten am Empfänger zu erfassen