- RS Best.-Nr.:
- 230-8412
- Herst. Teile-Nr.:
- AS4C16M16SA-6BIN
- Marke:
- Alliance Memory
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- 230-8412
- Herst. Teile-Nr.:
- AS4C16M16SA-6BIN
- Marke:
- Alliance Memory
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der Alliance Memory 256 Mb SDRAM ist ein synchroner Hochgeschwindigkeits-CMOS-DRAM mit 256 Mbit/s. Er ist intern als 4 Bänke mit 4M Word x 16 DRAM mit synchroner Schnittstelle konfiguriert (alle Signale werden an der positiven Flanke des Taktsignals CLK registriert). Lese- und Schreibzugriffe auf den SDRAM sind Burst-orientiert
Die Zugriffe beginnen an einem ausgewählten Ort und fahren für eine programmierte Anzahl von Orten in einer programmierten Reihenfolge fort. Die Zugriffe beginnen mit der Registrierung eines Bank Active-Befehls, dem dann ein Lese- oder Schreibbefehl folgt.
Schnelle Zugriffszeit von der Uhr: 5/5,4 ns
Schnelle Taktrate: 166/143 MHz
Vollständig synchroner Betrieb
Interne verrohrungsbeschlungener Architektur
4 M Wort x 16-Bit x 4-Bank
Schnelle Taktrate: 166/143 MHz
Vollständig synchroner Betrieb
Interne verrohrungsbeschlungener Architektur
4 M Wort x 16-Bit x 4-Bank
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Speicher Größe | 256MBit |
Organisation | 16 M x 16 |
SDRAM-Klasse | DDR |
Datenumfang | 166MHz |
Datenbus-Breite | 16bit |
Adressbusbreite | 13bit |
Anzahl der Bits pro Wort | 16bit |
Zugriffszeit max. | 5ns |
Anzahl der Wörter | 16 M |
Montage-Typ | SMD |
Gehäusegröße | TFBGA |
Pinanzahl | 54 |
Abmessungen | 8.0 x 8.0 x 1.2mm |
Höhe | 1.2mm |
Länge | 8.0mm |
Betriebstemperatur max. | +85 °C |
Arbeitsspannnung max. | 3,6 V |
Breite | 8.0mm |
Betriebstemperatur min. | –40 °C |
Arbeitsspannnung min. | 3 V |
- RS Best.-Nr.:
- 230-8412
- Herst. Teile-Nr.:
- AS4C16M16SA-6BIN
- Marke:
- Alliance Memory