SRAM-Steuereinheit DS1314S-2+, 6V, Ja, 20ns SMD, SO, 8-Pin

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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland: US
Produktdetails

Wandelt CMOS-SRAM in nichtflüchtigen Speicher umDer SRAM wird ohne Einschränkungen beschrieben, wenn VCC außerhalb der Toleranz liegtSchaltet automatisch auf Batteriepuffer-Versorgung um, wenn ein VCC-Stromausfall auftrittÜberwacht die Spannung einer Lithiumzelle und warnt Advanced vor drohendem BatterieausfallSignalisiert niedrigen Batteriezustand bei aktivem Batterie-WarnsignalAutomatische VCC-Leistungsausfallerkennung für 3,0-V- oder 3,3-V-NetzteilePlatzsparende 8-polige DIP- und SOIC-GehäuseOptionale 16-polige SOIC- und 20-polige TSSOP-Versionen setzen den Prozessor zurück, wenn ein Stromausfall auftritt, und halten den Prozessor während des Systemstarts im ResetIndustrieller Temperaturbereich von -40 °C bis +85 °C.

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Backup Zellenspannung max. 6V
Schreibschutz-Steuerung Ja
Signalverzögerungszeit max. 20ns
Montage-Typ SMD
Gehäusegröße SO
Pinanzahl 8
Abmessungen 5 x 4 x 1.5mm
Länge 5mm
Breite 4mm
Höhe 1.5mm
Arbeitsspannnung max. 3,3 V
Betriebstemperatur max. +85 °C
Arbeitsspannnung min. 2,7 V
Betriebstemperatur min. –40 °C
300 lieferbar innerhalb von 5 Werktagen.
Preis pro: Stück (In einer Stange von 100)
CHF .10.017
(ohne MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
100 +
CHF.10.017
CHF.1'002.130
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