SRAM-Steuereinheit DS1312S-2+, 6V, Ja, 10ns SMD, SO, 8-Pin

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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland: US
Produktdetails

Wandelt CMOS-SRAM in nichtflüchtigen Speicher umDer SRAM wird ohne Einschränkungen beschrieben, wenn VCC außerhalb der Toleranz liegtSchaltet automatisch auf Batteriepuffer-Versorgung um, wenn ein VCC-Stromausfall auftrittÜberwacht die Spannung einer Lithiumzelle und warnt Advanced vor drohendem BatterieausfallSignalisiert niedrigen Batteriezustand bei aktivem Batterie-WarnsignalOptionale 5 %- oder 10 %-StromausfallerkennungPlatzsparende 8-polige DIP- und SOIC-GehäuseOptionale 16-polige SOIC- und 20-polige TSSOP-Versionen setzen den Prozessor zurück, wenn ein Stromausfall auftritt, und halten den Prozessor während des Systemstarts im ResetIndustrieller Temperaturbereich von -40 °C bis +85 °C.

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Backup Zellenspannung max. 6V
Schreibschutz-Steuerung Ja
Signalverzögerungszeit max. 10ns
Montage-Typ SMD
Gehäusegröße SO
Pinanzahl 8
Abmessungen 5 x 4 x 1.5mm
Länge 5mm
Breite 4mm
Höhe 1.5mm
Arbeitsspannnung max. 5,5 V
Betriebstemperatur max. +85 °C
Arbeitsspannnung min. 4,5 V
Betriebstemperatur min. –40 °C
300 lieferbar innerhalb von 5 Werktagen.
Preis pro: Stück
CHF .10.567
(ohne MwSt.)
Stück
Pro Stück
1 - 9
CHF.10.567
10 - 24
CHF.10.344
25 - 49
CHF.9.26
50 - 74
CHF.8.612
75 +
CHF.8.449
Verpackungsoptionen: