Infineon 16MBit LowPower SRAM 1M, 2M 1MHz, 8bit / Wort 8 bit, 16 bit, VFBGA 48-Pin

Die Kleinleistungs-SRAM-Speichergeräte MoBL besitzen eine hohe Effizienz und bieten eine branchenweit führende (maximale) Verlustleistung im Standby.

TSOP I-Gehäuse konfigurierbar als 1 M ´ 16 oder 2 M ´ 8 SRAM
Sehr hohe Geschwindigkeit: 45 ns
Temperaturbereiche
Industrie: -40 °C bis +85 °C.
Großer Spannungsbereich: 2,20 V bis 3,60 V
Extrem niedrige Standby-Leistung
Typischer Standby-Strom: 1,5 μA
Maximaler Standby-Strom: 12 μA
Extrem niedrige Wirkleistung
Typischer Wirkstrom: 7 mA bei f = 1 MHz
Einfache Speichererweiterung mit CE1-, CE2- und OE-Funktionen
Automatische Abschaltung bei Deaktivierung
CMOS für optimale Geschwindigkeit und Leistung
Erhältlich in bleifreien 48-Ball-VFBGA- und 48-poligen TSOP-I-Gehäusen

SRAM (Static Random Access Memory)