Microchip 64kbit LowPower SRAM 8k 1MHz, 8bit / Wort, 2,7 V bis 3,6 V, SOIC-8 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 215-5866
- Herst. Teile-Nr.:
- 47L64-I/SN
- Marke:
- Microchip
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- Herst. Teile-Nr.:
- 47L64-I/SN
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der Microchip EERAM ist ein SRAM, das bei einer Unterbrechung der Stromversorgung nicht seinen Inhalt verliert. In jeder Speicherzelle, die für den Benutzer transparent ist, befinden sich nichtflüchtige Transistoren, die den SRAM-Inhalt erfassen und durch Stromverlustereignisse halten. Bei der Stromwiederherstellung wird der SRAM mit seinem letzten Inhalt neu geladen, und der SRAM-Betrieb kann fortgesetzt werden.
Serieller 8-Bit-SRAM mit 8 192 x 8 Bit und internen nicht flüchtigen Daten Sicherung
I2C-Schnittstelle: Bis zu 3 MHz mit Schmitt-Trigger-Eingängen zur Rauschunterdrückung
CMOS-Technologie mit geringer Leistungsaufnahme: Wirkstrom: 5 mA (max.)
I2C-Schnittstelle: Bis zu 3 MHz mit Schmitt-Trigger-Eingängen zur Rauschunterdrückung
CMOS-Technologie mit geringer Leistungsaufnahme: Wirkstrom: 5 mA (max.)
Standby-Strom: 500 μA (max.)
Ruhezustand: 3 μA (max.)
Zellbasiertes nicht flüchtiges Backup spiegelt SRAM-Array-Zelle für Zelle und überträgt alle Daten zu/von SRAM-Zellen parallel (Alle Zellen gleichzeitig)
Unsichtbare Datenübertragung für den Benutzer: VCC-Pegel im Gerät überwacht, SRAM wird automatisch bei Stromunterbrechungen gespeichert, SRAM wird bei VCC-Rückkehr automatisch wiederhergestellt
Mindestens 100.000 Backups (bei 20 °C)
100 Jahre Retention (bei 20 °C)
Zellbasiertes nicht flüchtiges Backup spiegelt SRAM-Array-Zelle für Zelle und überträgt alle Daten zu/von SRAM-Zellen parallel (Alle Zellen gleichzeitig)
Unsichtbare Datenübertragung für den Benutzer: VCC-Pegel im Gerät überwacht, SRAM wird automatisch bei Stromunterbrechungen gespeichert, SRAM wird bei VCC-Rückkehr automatisch wiederhergestellt
Mindestens 100.000 Backups (bei 20 °C)
100 Jahre Retention (bei 20 °C)
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Speicher Größe | 64kbit |
| Organisation | 8 K x 8 bit |
| Anzahl der Wörter | 8k |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8bit |
| Zugriffszeit max. | 550ns |
| Taktfrequenz | 1MHz |
| Low Power | Ja |
| Timing Typ | Synchron |
| Montage-Typ | SMD |
| Gehäusegröße | SOIC-8 |
| Pinanzahl | 8 |
| Abmessungen | 4.9 x 3.9 x 1.5mm |
| Arbeitsspannnung max. | 3,6 V |
| Höhe | 1.5mm |
| Breite | 3.9mm |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C |
| Länge | 4.9mm |
| Arbeitsspannnung min. | 2,7 V |
| Betriebstemperatur max. | +85 °C |