- RS Best.-Nr.:
- 772-6188
- Herst. Teile-Nr.:
- R1LV0816ASD-7SI#B0
- Marke:
- Renesas Electronics
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 772-6188
- Herst. Teile-Nr.:
- R1LV0816ASD-7SI#B0
- Marke:
- Renesas Electronics
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- JP
Produktdetails
SRAM mit geringem Stromverbrauch, Serie R1LV, Renesas Electronics
Die hoch entwickelten Niederspannungs-SRAMs der Serie R1LV eignen sich für Anwendungen, bei denen einfache Kopplung, Batteriebetrieb und Batteriepufferung sind die wichtigen Zielsetzungen des Designs sind.
Einfaches Netzteil mit 2,7 V oder 3,6 V
Kleine Ruhestromanforderungen
Keine Taktung, keine Aktualisierung erforderlich
Alle Eingänge und Ausgänge sind TTL-kompatibel.
Ausgänge mit drei Zuständen: OR-Tie-Fähigkeit
Kleine Ruhestromanforderungen
Keine Taktung, keine Aktualisierung erforderlich
Alle Eingänge und Ausgänge sind TTL-kompatibel.
Ausgänge mit drei Zuständen: OR-Tie-Fähigkeit
SRAM (Static Random Access Memory)
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Speicher Größe | 8MBit |
Organisation | 1M x 8, 512K x 16 |
Anzahl der Wörter | 1M, 512K |
Anzahl der Bits pro Wort | 8, 16 |
Zugriffszeit max. | 70ns |
Adressbusbreite | 19bit |
Low Power | Ja |
Timing Typ | Asymmetrisch |
Montage-Typ | SMD |
Gehäusegröße | μTSOP |
Pinanzahl | 52 |
Abmessungen | 10.89 x 8.99 x 1mm |
Höhe | 1mm |
Arbeitsspannnung max. | 3,6 V |
Breite | 8.99mm |
Betriebstemperatur max. | +85 °C |
Betriebstemperatur min. | -40 °C |
Arbeitsspannnung min. | 2,4 V |
Länge | 10.89mm |