- RS Best.-Nr.:
- 192-4598
- Herst. Teile-Nr.:
- TN2010H-6G
- Marke:
- STMicroelectronics
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- RS Best.-Nr.:
- 192-4598
- Herst. Teile-Nr.:
- TN2010H-6G
- Marke:
- STMicroelectronics
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
Dieses Gerät bietet eine hohe thermische Leistung im Betrieb von bis zu 20 ARMS dank einer Sperrschichttemperatur von bis zu 150 °C. Das D__LW_AT__2PAK-Gehäuse ermöglicht moderne SMD-Designs sowie eine kompakte Back-to-Back-Konfiguration. Die Kombination aus Störfestigkeit und niedrigem Gate-Auslösestrom ermöglicht die Entwicklung starker und kompakter Steuerschaltkreise.
Hohe Sperrschichttemperatur: TJ = 150 °C.
Hohe Störfestigkeit dV/dt = 400 V/μs bis 150 °C.
Gate-Auslösestrom IGT = 10 mA
Peak-off-Zustandsspannung VDRM/VRRM = 600 V
Hoher Einschaltstromanstieg dI/dt = 100 A/μs
Hohe Störfestigkeit dV/dt = 400 V/μs bis 150 °C.
Gate-Auslösestrom IGT = 10 mA
Peak-off-Zustandsspannung VDRM/VRRM = 600 V
Hoher Einschaltstromanstieg dI/dt = 100 A/μs
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
On-State Strom durchschnittlich | 12.7A |
Thyristor-Typ | SCR |
Gehäusegröße | D2PAK |
Spitzen-Sperrspannung periodisch | 600V |
Spitzenstrom | 180A |
Montage-Typ | SMD |
Gate-Triggerstrom max. | 10mA |
Gate-Triggerspannung max. | 1.3V |
Haltestrom max. | 40mA |
Pinanzahl | 3 |
Abmessungen | 10.28 x 9.35 x 4.6mm |
Betriebstemperatur min. | –40 °C |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 192-4598
- Herst. Teile-Nr.:
- TN2010H-6G
- Marke:
- STMicroelectronics