- RS Best.-Nr.:
- 151-2595
- Herst. Teile-Nr.:
- PUMH1,115
- Marke:
- Nexperia
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- PUMH1,115
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- Nexperia
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- MY
Produktdetails
Widerstandsbestückte Transistoren (RETs), platzsparende und kostensparende Lösungen, die die Anzahl der Komponenten reduzieren und den Stromkreisentwurf vereinfachen.
Transistoren mit NPN/NPN-Widerstand, R1 = 22 kΩ, R2 = 22 kΩ, NPN/NPN-Doppelwiderstands-Transistoren (RET) in SMD-Kunststoffgehäusen.
Ausgangsstrom: 100 mAIntegrierte VorwiderständeVereinfachter StromkreisaufbauReduziert die Anzahl der Komponenten
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Transistor-Typ | NPN |
DC Kollektorstrom max. | 100 mA |
Kollektor-Emitter-Spannung | 50 V |
Gehäusegröße | SOT |
Montage-Typ | SMD |
Verlustleistung max. | 300 mW |
Transistor-Konfiguration | Dual |
Pinanzahl | 6 |
Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Widerstandsverhältnis | 1 |
Eingangswiderstand typ. | 22 kΩ |
Abmessungen | 2.2 x 1.35 x 1.1mm |
Basis-Emitter-Widerstand | 22kΩ |
- RS Best.-Nr.:
- 151-2595
- Herst. Teile-Nr.:
- PUMH1,115
- Marke:
- Nexperia