Nexperia PBRN123ET,215 SMD, NPN Digitaler Transistor 40 V / 600 mA, SOT-23 (TO-236AB) 3-Pin

RS Best.-Nr.:: 153-2855
Herst. Teile-Nr.:: PBRN123ET,215
Marke:: Nexperia

Nexperia PBRN123ET,215 SMD, NPN Digitaler Transistor 40 V / 600 mA, SOT-23 (TO-236AB) 3-Pin

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

NPN BISS RETs für 800 mA, 40 V, R1 = 2,2 kOhm, R2 = 2,2 kOhm, 800 mA widerstandbestückte NPN-Transistoren (RET) mit niedriger VCEsat, Breakthrough In Small Signal (BISS) in kleinen Kunststoffgehäusen.

Ausgangsstrom: 800 mA
Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VCEsat
Hohe Stromverstärkung hFE
Verringert die Anzahl an Bauelementen
Integrierte Vorwiderstände
Verringert die Bestückungskosten
Vereinfacht den Schaltungsaufbau
+-10 pct Widerstands-Verhältnistoleranz
AEC-Q101-qualifiziert
Digitale Anwendungen im Automobilbau und in industriellen Bereichen
Schalten von Lasten
Mittelstrom-Peripherietreiber

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Transistor-Typ	NPN
DC Kollektorstrom max.	600 mA
Kollektor-Emitter-Spannung	40 V
Gehäusegröße	SOT-23 (TO-236AB)
Montage-Typ	SMD
Verlustleistung max.	570 mW
Transistor-Konfiguration	Einfach
Basis-Emitter Spannung max.	10 V
Pinanzahl	3
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Widerstandsverhältnis	1
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Eingangswiderstand typ.	2,2 kΩ
Abmessungen	3 x 1.4 x 1mm
Basis-Emitter-Widerstand	2.2kΩ

RS Best.-Nr.:: 153-2855
Herst. Teile-Nr.:: PBRN123ET,215
Marke:: Nexperia