AEC-Q101 2.2kΩ NPN Digitaler Transistor PBRN123ET,215 40 V 600 mA Eingangswiderstand 2,2 kΩ, Verhältnis 1, SOT-23,

  • RS Best.-Nr. 153-2921
  • Herst. Teile-Nr. PBRN123ET,215
  • Marke Nexperia
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Produktdetails

NPN BISS RETs für 800 mA, 40 V, R1 = 2,2 kOhm, R2 = 2,2 kOhm, 800 mA widerstandbestückte NPN-Transistoren (RET) mit niedriger VCEsat, Breakthrough In Small Signal (BISS) in kleinen Kunststoffgehäusen.

Ausgangsstrom: 800 mA
Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VCEsat
Hohe Stromverstärkung hFE
Verringert die Anzahl an Bauelementen
Integrierte Vorwiderstände
Verringert die Bestückungskosten
Vereinfacht den Schaltungsaufbau
+-10 pct Widerstands-Verhältnistoleranz
AEC-Q101-qualifiziert
Digitale Anwendungen im Automobilbau und in industriellen Bereichen
Schalten von Lasten
Mittelstrom-Peripherietreiber

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Transistor-Typ NPN
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Dauer-Kollektorstrom max. 600 mA
Kollektor-Emitter- 40 V
Eingangswiderstand typ. 2,2 kΩ
Basis-Emitter-Widerstand 2.2kΩ
Montage-Typ SMD
Gehäusegröße SOT-23, TO-236AB
Pinanzahl 3
Gleichstromverstärkung min. 70
Transistor-Konfiguration Einfach
Verlustleistung max. 570 mW
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. 1,15 V
Basis-Emitter Spannung max. 10 V
Widerstandsverhältnis 1
Konfiguration Single
Automobilstandard AEC-Q101
Betriebstemperatur min. –65 °C
Breite 1.4mm
Höhe 1mm
Betriebstemperatur max. +150 °C
Länge 3mm
Abmessungen 3 x 1.4 x 1mm
17200 lieferbar innerhalb von 5 Werktagen.
Preis pro: Stück (In einer VPE à 50)
CHF .0.23
(ohne MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
50 - 200
CHF.0.23
CHF.11.994
250 - 450
CHF.0.094
CHF.4.915
500 - 1200
CHF.0.094
CHF.4.681
1250 - 2450
CHF.0.070
CHF.3.511
2500 +
CHF.0.070
CHF.3.34
*Bitte VPE beachten
Verpackungsoptionen: