- RS Best.-Nr.:
- 170-4866
- Herst. Teile-Nr.:
- PEMH9,115
- Marke:
- Nexperia
- RS Best.-Nr.:
- 170-4866
- Herst. Teile-Nr.:
- PEMH9,115
- Marke:
- Nexperia
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- MY
Produktdetails
Platzsparende und kostensparende Lösungen, die die Anzahl der Komponenten reduzieren und den Stromkreisentwurf vereinfachen. Durch die Kombination von Transistoren mit den damit verbundenen Widerständen sind RETs hervorragende Platz- und kostensparende Lösungen.
±10 % Widerstand-Verhältnistoleranz
Verringert die Bestückungskosten
Integrierte Vorwiderstände
Verringert die Anzahl an Bauelementen
Ausgangsstrombelastbarkeit von 100 mA, 500 mA und bis zu 800 mA
Vereinfacht den Schaltungsaufbau
Typische Anwendungsbereiche
Steuerung von IC-Eingängen
Digitalsysteme
Schalten von Lasten
Verringert die Bestückungskosten
Integrierte Vorwiderstände
Verringert die Anzahl an Bauelementen
Ausgangsstrombelastbarkeit von 100 mA, 500 mA und bis zu 800 mA
Vereinfacht den Schaltungsaufbau
Typische Anwendungsbereiche
Steuerung von IC-Eingängen
Digitalsysteme
Schalten von Lasten
Doppelwiderstandsbestückte NPN/NPN-Transistoren (RET) in SMD-Kunststoffgehäusen.
Ausgangsstrom: 100 mA
Integrierte Vorwiderstände
Vereinfacht den Schaltungsaufbau
Verringert die Anzahl an Bauelementen
Verringert die Bestückungskosten
Anwendungsbereiche
Peripherie-Treiber mit niedriger Stromaufnahme
Steuerung von IC-Eingängen
Ersetzt Universaltransistoren in digitalen Anwendungen
Integrierte Vorwiderstände
Vereinfacht den Schaltungsaufbau
Verringert die Anzahl an Bauelementen
Verringert die Bestückungskosten
Anwendungsbereiche
Peripherie-Treiber mit niedriger Stromaufnahme
Steuerung von IC-Eingängen
Ersetzt Universaltransistoren in digitalen Anwendungen
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Transistor-Typ | NPN |
DC Kollektorstrom max. | 100 mA |
Kollektor-Emitter-Spannung | 50 V |
Gehäusegröße | SOT-666 |
Montage-Typ | SMD |
Verlustleistung max. | 200 mW |
Transistor-Konfiguration | Dual |
Basis-Emitter Spannung max. | 6 V |
Pinanzahl | 6 |
Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Eingangswiderstand typ. | 10 kΩ |
Widerstandsverhältnis | 4,7 |
Basis-Emitter-Widerstand | 13kΩ |
Abmessungen | 1.7 x 1.3 x 0.6mm |