onsemi FDC3601N Dual, SMD MOSFET 960 mW, 6-Pin TSOT-23

Diese N-Kanal 100V spezifizierten MOSFETs werden mit einem Advanced PowerTrench Prozess produziert, der speziell auf die Minimierung des Einschaltresistenz und die Aufrechterhaltung einer niedrigen Gate-Ladung für eine überlegene Schaltleistung zugeschnitten wurde. Diese Geräte wurden entwickelt, um eine außergewöhnliche Verlustleistung bei sehr geringer Stellfläche für Anwendungen zu bieten, bei denen die größeren, teureren SO-8- und TSSOP-8-Pakete unpraktisch sind.

1,0 A, 100 V
RDS(on) = 500 mΩ @ VGS = 10 V
RDS(on) = 550 mΩ @ VGS = 6 V
Niedrige Gatterladung (typisch 3,7 nC)
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Leistungsstarke Grabentechnologie für extrem niedrige RDS(ON)
SuperSOT™-6-Gehäuse: Geringe Standfläche von 72 % (kleiner als Standard SO-8), niedrige Bauform (1 mm dick)
Anwendungen
Dieses Produkt ist für die allgemeine Verwendung und für viele verschiedene Anwendungen geeignet.