onsemi FDG328P SMD Digitaler Transistor, SC-70 6-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 186-7150
- Herst. Teile-Nr.:
- FDG328P
- Marke:
- onsemi
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| Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
| 3000 - 3000 | CHF.0.189 | CHF.563.85 |
| 6000 - 6000 | CHF.0.179 | CHF.548.10 |
| 9000 + | CHF.0.179 | CHF.535.50 |
| *Bitte VPE beachten | ||
- RS Best.-Nr.:
- 186-7150
- Herst. Teile-Nr.:
- FDG328P
- Marke:
- onsemi
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Dieser P-Kanal 2,5V spezifizierter MOSFET wird in einer robusten Gate-Version eines Advanced PowerTrench Prozesses hergestellt. Es wurde für Energieverwaltungsanwendungen für eine Vielzahl von Gate-Antriebsspannungen (2,5 V - 12 V) optimiert.
-1,5 A, -20 V
RDS(ON) = 0,145 Ω @ VGS = -4,5 V
RDS(ON) = 0,210 Ω @ VGS = -2,5 V
Niedrige Gateladung
Leistungsstarke Grabentechnologie für extrem niedrige RDS(ON)
Kompaktes SC70-6-SMD-Gehäuse nach Industriestandard
Anwendungen
Dieses Produkt ist für die allgemeine Verwendung und für viele verschiedene Anwendungen geeignet.
RDS(ON) = 0,145 Ω @ VGS = -4,5 V
RDS(ON) = 0,210 Ω @ VGS = -2,5 V
Niedrige Gateladung
Leistungsstarke Grabentechnologie für extrem niedrige RDS(ON)
Kompaktes SC70-6-SMD-Gehäuse nach Industriestandard
Anwendungen
Dieses Produkt ist für die allgemeine Verwendung und für viele verschiedene Anwendungen geeignet.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Gehäusegröße | SC-70 |
| Montage-Typ | SMD |
| Verlustleistung max. | 750 mW |
| Pinanzahl | 6 |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Abmessungen | 2.2 x 1.35 x 1mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |