onsemi FDG6301N-F085 SMD Digitaler Transistor Dual, SC-70 6-Pin

Diese zwei N-Kanal-N-Kanal-Transistoren für den Feldeffekteffekt im Modus zur Verbesserung der Logikpegel werden mit einer proprietären DMOS-Technologie mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser Prozess mit sehr hoher Dichte ist speziell darauf zugeschnitten, den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren. Dieses Gerät wurde speziell für Niederspannungsanwendungen als Ersatz für bipolare digitale Transistoren und kleine Signal-MOSFETs entwickelt.

25 V, 0,22 A kontinuierlich, 0,65 A Peak.
RDS(ON) = 4 Ω VGS= 4,5 V,
RDS(ON) = 5 Ω VGS= 2,7 V.
Sehr niedrige Anforderungen an den Gatterantrieb, die den Direktbetrieb in 3-V-Schaltkreisen (VGS(th)< 1,5 V) ermöglichen.
Gate-Source Zener für ESD-Robustheit (>6kV Human Body Modell).
Kompaktes SC70-6-SMD-Gehäuse nach Industriestandard.
Anwendungen
Infotainment
Tragbare Navigation
Infotainment
Andere Gründe
Kraftübertragung
Sicherheit und Kontrolle
Komfort und Bequemlichkeit
Karosserieelektronik
Fahrzeugsysteme
Andere Automobilbranche