- RS Best.-Nr.:
- 186-7176
- Herst. Teile-Nr.:
- MMBTH10-4LT1G
- Marke:
- onsemi
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Dieser Bipolartransistor NPN wurde für VHF/UHF-Universalanwendungen entwickelt und ist im SMD-Gehäuse SOT-23 untergebracht. Dieses Gerät eignet sich ideal für oberflächenmontierbare Anwendungen mit geringer Leistungsaufnahme.
Low rDS(on) sorgt für höhere Effizienz und verlängert die Akkulaufzeit
Mini-SOT-23-SMD-Gehäuse spart Platz auf der Platine
Möglicherweise ist ein kostenloses Paket verfügbar. Das G-Suffix kennzeichnet ein bleifreies Ende
NSV-Präfix für Automobil- und andere Anwendungen, die besondere Anforderungen an Standort- und Kontrolländerungen erfordern, PPAP-fähig
Mini-SOT-23-SMD-Gehäuse spart Platz auf der Platine
Möglicherweise ist ein kostenloses Paket verfügbar. Das G-Suffix kennzeichnet ein bleifreies Ende
NSV-Präfix für Automobil- und andere Anwendungen, die besondere Anforderungen an Standort- und Kontrolländerungen erfordern, PPAP-fähig
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Transistor-Typ | NPN |
Kollektor-Emitter-Spannung | 25 V |
Gehäusegröße | SOT-23 |
Montage-Typ | SMD |
Verlustleistung max. | 300 mW |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Basis-Emitter Spannung max. | 3 V dc |
Pinanzahl | 3 |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Abmessungen | 3.04 x 1.4 x 1.01mm |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |