AEC-Q101 22kΩ NPN Transistor und Digital-Transistor MUN5212DW1T1G 50 V dc 100 mA Eingangswiderstand 22 kΩ,

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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Produktdetails

Diese Serie digitaler Transistoren ersetzt ein einzelnes Gerät und sein externes Widerstandsvorspannungsnetz. Der Bias Resistor Transistor (BRT) enthält einen einzelnen Transistor mit einem monolithischen Bias-Netzwerk, bestehend aus zwei Widerständen, einem seriellen Basiswiderstand und einem Basisemitter-Widerstand. Die BRT eliminiert diese Einzelkomponenten durch die Integration in ein einziges Gerät. Durch den Einsatz eines BRT können sowohl die Systemkosten als auch der Platinenplatz reduziert werden.

Vereinfacht das Schaltungsdesign
Reduziert den Plattenplatz
Reduziert die Anzahl der Komponenten
NSV-Präfix für Automobil- und andere Anwendungen, die besondere Anforderungen an Standort- und Kontrolländerungen erfordern, PPAP-fähig
Diese Geräte sind bleifrei, halogenfrei/BFR-frei

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Transistor-Typ NPN
Anzahl der Elemente pro Chip 2
Dauer-Kollektorstrom max. 100 mA
Kollektor-Emitter- 50 V dc
Eingangswiderstand typ. 22 kΩ
Montage-Typ SMD
Basis-Emitter-Widerstand 22kΩ
Gehäusegröße SOT-363
Pinanzahl 6
Gleichstromverstärkung min. 60
Verlustleistung max. 385 mW
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. 0,25 V dc
Widerstandsverhältnis 1
Konfiguration Dual
Betriebstemperatur min. –55 °C
Breite 1.35mm
Abmessungen 2.2 x 1.35 x 1mm
Länge 2.2mm
Betriebstemperatur max. +150 °C
Höhe 1mm
Automobilstandard AEC-Q101
6000 lieferbar innerhalb von 5 Werktagen.
Preis pro: Stück (Auf einer Rolle von 3000)
CHF .0.047
(ohne MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3000 - 3000
CHF.0.047
CHF.129.888
6000 - 9000
CHF.0.047
CHF.126.378
12000 - 27000
CHF.0.035
CHF.112.336
30000 - 42000
CHF.0.035
CHF.108.825
45000 +
CHF.0.035
CHF.98.294
*Bitte VPE beachten