onsemi NSS40300MZ4T1G SMD, PNP Digitaler Transistor –40 V, SOT-223 (SC-73) 3 + Tab-Pin

RS Best.-Nr.:: 186-7196
Herst. Teile-Nr.:: NSS40300MZ4T1G
Marke:: onsemi

onsemi NSS40300MZ4T1G SMD, PNP Digitaler Transistor –40 V, SOT-223 (SC-73) 3 + Tab-Pin

Voraussichtlich ab 06.06.2024 zur Lieferung verfügbar. Lieferung erfolgt innerhalb von 6-8 Werktagen.

Im Warenkorb

Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 1000)

CHF.0.20

Stück	Pro Stück	Pro Rolle*
1000 - 1000	CHF.0.20	CHF.202.65
2000 - 9000	CHF.0.20	CHF.200.55
10000 +	CHF.0.20	CHF.199.50
*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 186-7196
Herst. Teile-Nr.:: NSS40300MZ4T1G
Marke:: onsemi

Mehr Infos und technische Dokumente

Datasheet NSS40300MZ4T1G

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Die Kombination aus niedriger Sättigungsspannung und hoher Verstärkung macht diesen Bipolar-Leistungstransistor zu einem idealen Gerät für Hochgeschwindigkeitsschaltanwendungen, bei denen die Energieeinsparung eine Rolle spielt.

Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Hohe DC-Stromverstärkung
High-Current-Gain Bandwidth Produkt
NSV-Präfix für Automobil- und andere Anwendungen, die besondere Anforderungen an Standort- und Kontrolländerungen erfordern, PPAP-fähig
Diese Geräte sind bleifrei, halogenfrei/BFR-frei
Vorteile
Minimale Verlustleistung
Sehr niedrige Stromanforderungen
Ideal für Hochfrequenz-Designs
Endprodukte
Akkuladegeräte
Tragbare Geräte
Computerprodukte
Anwendungen
Spannungsregelung
Energieverwaltung für tragbare Geräte
Schaltregler
Induktiver Lasttreiber

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Transistor-Typ	PNP
Kollektor-Emitter-Spannung	–40 V
Gehäusegröße	SOT-223 (SC-73)
Montage-Typ	SMD
Verlustleistung max.	2 W
Gleichstromverstärkung min.	175
Transistor-Konfiguration	Einfach
Basis-Emitter Spannung max.	6 V dc
Pinanzahl	3 + Tab
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Abmessungen	6.7 x 3.7 x 1.65mm

RS Best.-Nr.:: 186-7196
Herst. Teile-Nr.:: NSS40300MZ4T1G
Marke:: onsemi

Datasheet NSS40300MZ4T1G