- RS Best.-Nr.:
- 186-7210
- Herst. Teile-Nr.:
- SBC846BPDW1T1G
- Marke:
- onsemi
Voraussichtlich ab 17.07.2024 zur Lieferung verfügbar. Lieferung erfolgt innerhalb von 6-8 Werktagen.
Im Warenkorb
Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 3000)
CHF.0.074
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
3000 - 6000 | CHF.0.074 | CHF.226.80 |
9000 - 21000 | CHF.0.074 | CHF.223.65 |
24000 + | CHF.0.074 | CHF.217.35 |
*Bitte VPE beachten |
- RS Best.-Nr.:
- 186-7210
- Herst. Teile-Nr.:
- SBC846BPDW1T1G
- Marke:
- onsemi
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der zweifache NPN PNP Bipolartransistor wurde für allgemeine Verstärkeranwendungen entwickelt. Er ist im Gehäuse SOT-363/SC-88 untergebracht, das für oberflächenmontierbare Anwendungen mit geringer Leistungsaufnahme ausgelegt ist.
Bleifreies Gehäuse erhältlich
S- und NSV-Präfix für Automobil- und andere Anwendungen, die besondere Anforderungen an Standort- und Kontrolländerungen erfordern, PPAP-fähig
S- und NSV-Präfix für Automobil- und andere Anwendungen, die besondere Anforderungen an Standort- und Kontrolländerungen erfordern, PPAP-fähig
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Transistor-Typ | NPN/PNP |
DC Kollektorstrom max. | 100 mA |
Kollektor-Emitter-Spannung | 65 V |
Gehäusegröße | SOT-363 |
Montage-Typ | SMD |
Verlustleistung max. | 380 mW |
Transistor-Konfiguration | Dual |
Basis-Emitter Spannung max. | 6 V |
Pinanzahl | 6 |
Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
Abmessungen | 2.2 x 1.35 x 0.9mm |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |