onsemi SI3443DV SMD Digitaler Transistor, TSOT-23 6-Pin

Dieser P-Kanal 2,5 V spezifizierter MOSFET wird mit dem Advanced Power Trench Prozess von Fairchild hergestellt, der speziell auf die Minimierung des Einschaltresistenz und die Aufrechterhaltung einer niedrigen Gate-Ladung für eine überlegene Schaltleistung zugeschnitten wurde. Diese Geräte wurden entwickelt, um eine außergewöhnliche Verlustleistung bei sehr geringer Stellfläche für Anwendungen zu bieten, bei denen größere Pakete nicht praktikabel sind.

-4 A, -20 V
RDS(ON) = 0,065 Ω @ VGS = -4,5 V
RDS(ON) = 0,100 Ω @ VGS = -2,5 V
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Niedrige Gatterladung (7,2 nC typisch)
Leistungsstarke Grabentechnologie für extrem niedrige RDS(ON)
SuperSOT™ -6-Gehäuse: Geringe Standfläche (72 % kleiner als Standard SO-8), niedrige Bauhöhe (1 mm dick)
Anwendungen
Dieses Produkt ist für die allgemeine Verwendung und für viele verschiedene Anwendungen geeignet.