onsemi BD677G THT, NPN Digitaler Transistor 60 V dc, TO-225 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 186-7357
- Herst. Teile-Nr.:
- BD677G
- Marke:
- onsemi
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 186-7357
- Herst. Teile-Nr.:
- BD677G
- Marke:
- onsemi
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
Der Bipolar-Power-Transistor NPN Darlington mit mittlerer Leistung ist für den Einsatz als Ausgangsgeräte in komplementären Allzweck-Verstärkeranwendungen vorgesehen.
Hohe DC-Stromverstärkung hFE = 750 (min.) bei IC = 1,5 und 2,0 Adc
Monolithische Konstruktion
BD675, 675A, 677, 677A, 679, 679A, 681 ergänzen BD676, 676A, 678, 678A, 680, 680A, 682
BD677, 677A, 679, 679A entsprechen MjE 800, 801, 802, 803
Bleifreie Gehäuse sind verfügbar
Monolithische Konstruktion
BD675, 675A, 677, 677A, 679, 679A, 681 ergänzen BD676, 676A, 678, 678A, 680, 680A, 682
BD677, 677A, 679, 679A entsprechen MjE 800, 801, 802, 803
Bleifreie Gehäuse sind verfügbar
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Transistor-Typ | NPN |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 60 V dc |
| Gehäusegröße | TO-225 |
| Montage-Typ | THT |
| Verlustleistung max. | 40 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Basis-Emitter Spannung max. | 5 V dc |
| Pinanzahl | 3 |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Abmessungen | 7.8 x 3 x 11.1mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |