onsemi FDMA420NZOS SMD Digitaler Transistor, MicroFET 2 x 2 6-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 186-7382
- Herst. Teile-Nr.:
- FDMA420NZ
- Marke:
- onsemi
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- Herst. Teile-Nr.:
- FDMA420NZ
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- onsemi
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- TH
Produktdetails
Dieser Einkanal-MOSFET wurde mit einem Advanced Power Trench Prozess zur Optimierung des RDS(on) @VGS=2,5 V auf einem speziellen MicroFET-Leiterrahmen entwickelt.
RDS(on) = 30 mΩ @ VGS = 4,5 V, ID = 5,7 A
RDS(on) = 40 mΩ @ VGS = 2,5 V, ID = 5,0 A.
Flaches Profil - max. 0,8 mm - im neuen Gehäuse MicroFET 2 x 2 mm
HBM ESD-Schutzstufe 2,5 k V typisch (Hinweis 3)
Frei von halogenierten Verbindungen und Antimonoxiden
Anwendungen
Dieses Produkt ist für die allgemeine Verwendung und für viele verschiedene Anwendungen geeignet.
RDS(on) = 40 mΩ @ VGS = 2,5 V, ID = 5,0 A.
Flaches Profil - max. 0,8 mm - im neuen Gehäuse MicroFET 2 x 2 mm
HBM ESD-Schutzstufe 2,5 k V typisch (Hinweis 3)
Frei von halogenierten Verbindungen und Antimonoxiden
Anwendungen
Dieses Produkt ist für die allgemeine Verwendung und für viele verschiedene Anwendungen geeignet.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Gehäusegröße | MicroFET 2 x 2 |
| Montage-Typ | SMD |
| Verlustleistung max. | 2,4 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Pinanzahl | 6 |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Abmessungen | 2 x 2 x 0.72mm |