onsemi FDMA520PZ SMD Digitaler Transistor, MicroFET 2 x 2 6-Pin

Dieses Gerät wurde speziell für das Laden von Batterien oder das Schalten von Lasten in Mobilgeräten und anderen ultraportablen Anwendungen entwickelt. Es verfügt über einen MOSFET mit niedrigem On-State-Widerstand. Das MicroFET 2X2-Gehäuse bietet eine außergewöhnliche thermische Leistung für seine physikalische Größe und eignet sich gut für lineare Modusanwendungen.

Max. RDS(ein) = 30 mΩ bei VGS = -4,5 V, ID = -7,3 A
Max. RDS(ein) = 53 mΩ bei VGS = -2,5 V, ID = -5,5 A
Niedriges Profil - max. 0,8 mm - im neuen Gehäuse MicroFET 2 x 2 mm
HBM ESD-Schutzstufe> 3k V typisch (Hinweis 3)
Frei von halogenierten Verbindungen und Antimonoxiden
Anwendungen
Dieses Produkt ist für die allgemeine Verwendung und für viele verschiedene Anwendungen geeignet.