- RS Best.-Nr.:
- 186-7388
- Herst. Teile-Nr.:
- FDP083N15A-F102
- Marke:
- onsemi
- RS Best.-Nr.:
- 186-7388
- Herst. Teile-Nr.:
- FDP083N15A-F102
- Marke:
- onsemi
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
Dieser N-Kanal-MOSFET wird mit einem Advanced PowerTrench®-Verfahren hergestellt, das auf die Minimierung des Einschaltresistenz bei gleichzeitiger Aufrechterhaltung einer überlegenen Schaltleistung zugeschnitten wurde.
RDS(on) = 6,85 mΩ ( typ.) @ VGS = 10 V, ID = 75 A
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Niedrige Gatterladung, QG = 64,5 nC (typ.)
Trench-Hochleistungstechnologie für extrem niedrigen RDS(on)
Hohe Leistungs- und Strombelastbarkeit
Anwendungen
AC-DC-Netzteil für Händler - Server und Workstations
AC-DC-Netzteil für Händler - Desktop-PC
Unterbrechungsfreie Stromversorgung
Unterbrechungsfreie Stromversorgung
Sonstige Datenverarbeitung
Synchrone Rektifizierung für ATX/Server/Telecom PSU
Batterieschutzschaltung
Motorantriebe
Unterbrechungsfreie Stromversorgung
Micro Solar Wechselrichter
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Niedrige Gatterladung, QG = 64,5 nC (typ.)
Trench-Hochleistungstechnologie für extrem niedrigen RDS(on)
Hohe Leistungs- und Strombelastbarkeit
Anwendungen
AC-DC-Netzteil für Händler - Server und Workstations
AC-DC-Netzteil für Händler - Desktop-PC
Unterbrechungsfreie Stromversorgung
Unterbrechungsfreie Stromversorgung
Sonstige Datenverarbeitung
Synchrone Rektifizierung für ATX/Server/Telecom PSU
Batterieschutzschaltung
Motorantriebe
Unterbrechungsfreie Stromversorgung
Micro Solar Wechselrichter
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Gehäusegröße | TO-220 |
Montage-Typ | THT |
Pinanzahl | 3 |
Verlustleistung max. | 294 W |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |