onsemi FQB5N90TM SMD Digitaler Transistor, D2PAK 2 + Tab-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 186-7398
- Herst. Teile-Nr.:
- FQB5N90TM
- Marke:
- onsemi
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- Herst. Teile-Nr.:
- FQB5N90TM
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
Dieser N-Kanal-Erweiterungs-MOSFET wird mit einer proprietären planaren Streifen- und DMOS-Technologie hergestellt. Diese Advanced MOSFET-Technologie wurde speziell auf die Reduzierung des Einschaltwiderstandes und die Bereitstellung einer überlegenen Schaltleistung und einer hohen Lawinenenergie zugeschnitten. Diese Geräte eignen sich für Schaltnetzteile, aktive Leistungsfaktorkorrektur (PFC) und elektronische Vorschaltgeräte.
5,4A, 900V, RDS(on) = 2,3Ω (Max.) @VGS = 10 V, ID = 2,7A
Niedrige Gatterladung ( Typ. 31 nC)
Niedrige Crss (Typ. 13 pF)
Anwendungen
Beleuchtung
Niedrige Gatterladung ( Typ. 31 nC)
Niedrige Crss (Typ. 13 pF)
Anwendungen
Beleuchtung
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Gehäusegröße | D2PAK |
| Montage-Typ | SMD |
| Verlustleistung max. | 158 W |
| Pinanzahl | 2 + Tab |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Abmessungen | 10.67 x 9.65 x 4.58mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |