- RS Best.-Nr.:
- 186-7415
- Herst. Teile-Nr.:
- MJF47G
- Marke:
- onsemi
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- RS Best.-Nr.:
- 186-7415
- Herst. Teile-Nr.:
- MJF47G
- Marke:
- onsemi
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- KR
Produktdetails
Der Bipolar-Hochleistungs-NPN-Transistor wurde für leitungsbetriebene Audioausgangsverstärker, Schaltnetzwerktreiber und andere Schaltanwendungen entwickelt, bei denen die Montagefläche des Geräts vom Kühlkörper oder Gehäuse galvanisch getrennt werden muss.
Elektrisch ähnlich wie beim beliebten TIP47
250 VCEO(sus)
1 A Nennstrom des Kollektors
Keine Trennscheiben erforderlich
Geringere Systemkosten
Bleifreies Gehäuse erhältlich
250 VCEO(sus)
1 A Nennstrom des Kollektors
Keine Trennscheiben erforderlich
Geringere Systemkosten
Bleifreies Gehäuse erhältlich
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Transistor-Typ | NPN |
Kollektor-Emitter-Spannung | 250 V |
Gehäusegröße | TO-220 |
Montage-Typ | THT |
Verlustleistung max. | 28,4 W |
Gleichstromverstärkung min. | 30 |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Basis-Emitter Spannung max. | 5 V dc |
Pinanzahl | 3 |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Abmessungen | 10.53 x 4.83 x 9.28mm |