onsemi FQD18N20V2TM SMD Digitaler Transistor, DPAK 2 + Tab-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 186-7921
- Herst. Teile-Nr.:
- FQD18N20V2TM
- Marke:
- onsemi
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CHF.10.794
| Packung(en) | Pro Packung | Pro Stück* |
| 1 - 9 | CHF.10.794 | CHF.1.082 |
| 10 - 24 | CHF.8.085 | CHF.0.809 |
| 25 - 49 | CHF.7.991 | CHF.0.798 |
| 50 - 99 | CHF.6.878 | CHF.0.693 |
| 100 + | CHF.5.607 | CHF.0.557 |
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- RS Best.-Nr.:
- 186-7921
- Herst. Teile-Nr.:
- FQD18N20V2TM
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
Dieser N-Kanal-Erweiterungs-MOSFET wird mit einer proprietären planaren Streifen- und DMOS-Technologie hergestellt. Diese Advanced MOSFET-Technologie wurde speziell auf die Reduzierung des Einschaltwiderstandes und die Bereitstellung einer überlegenen Schaltleistung und einer hohen Lawinenenergie zugeschnitten. Diese Geräte eignen sich für Schaltnetzteile, aktive Leistungsfaktorkorrektur (PFC) und elektronische Vorschaltgeräte.
15 A, 200 V, RDS(ein) = 140 mΩ (max.) bei VGS = 10 V, ID = 7,5 A
Niedrige Gatterladung ( Typ. 20 nC)
Niedrige Crss (Typ. 25 pF)
Anwendungen
LCD-TV
PDP-TV
LED-Fernseher
Niedrige Gatterladung ( Typ. 20 nC)
Niedrige Crss (Typ. 25 pF)
Anwendungen
LCD-TV
PDP-TV
LED-Fernseher
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Gehäusegröße | DPAK |
| Montage-Typ | SMD |
| Verlustleistung max. | 83 W |
| Pinanzahl | 2 + Tab |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Abmessungen | 6.73 x 6.22 x 2.26mm |