- RS Best.-Nr.:
- 186-7947
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SJ652-1E
- Marke:
- onsemi
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 186-7947
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SJ652-1E
- Marke:
- onsemi
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- KR
Produktdetails
2SJ652 ist ein P-Kanal Leistungs-MOSFET, -60 V, -28 A, 38 mΩ, TO-220F-3SG für allgemeine Schaltgeräteanwendungen. Er verfügt über einen niedrigen Einschaltwiderstand, ultraschnelle Schaltung und einen 4,0-V-Antrieb.
Niedriger Einschaltwiderstand 28,5 mΩ (typ.)
Eingangskapazität Ciss = 4360pF (typ.)
4,0-V-Antrieb
Eingangskapazität Ciss = 4360pF (typ.)
4,0-V-Antrieb
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Gehäusegröße | TO-220 |
Montage-Typ | THT |
Verlustleistung max. | 30 W |
Pinanzahl | 3 |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Abmessungen | 10.16 x 4.7 x 15.87mm |