PNP Digitaler Transistor BDX54BG 80 V dc 8 A, TO-220 3-Pin, Single Einfach

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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland: CN
Produktdetails

Der Bipolartransistor mit 8 A, 100 V, 65 W PNP Darlington, ist für allgemeine und langsame Schaltanwendungen konzipiert. Die BDX53B, BDX53C, BDX54B und BDX54C sind ergänzende Geräte.

Hohe DC-Stromverstärkung hFE = 2500 (Typ) bei IC = 4,0 Adc
Kollektor-Emitter-Haltespannung bei 100 mADC VCEO(sus) = 80 Vdc (min.) BDX53B, 54B VCEO(sus) = 100 Vdc (min.) - BDX53C, 54C
Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VCE(sat) = 2,0 Vdc (max.) @ IC = 3,0 Adc VCE(sat) = 4,0 Vdc (max.) @ IC = 5,0 Adc
Monolithische Konstruktion mit integrierten Shunt-Widerständen mit Base-Emitter
Zu-220AB Kompaktgehäuse
Bleifreie Gehäuse sind verfügbar

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Transistor-Typ PNP
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Dauer-Kollektorstrom max. 8 A
Kollektor-Emitter- 80 V dc
Montage-Typ Durchsteckmontage
Gehäusegröße TO-220
Pinanzahl 3
Gleichstromverstärkung min. 750
Verlustleistung max. 65 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. 4 V dc
Basis-Emitter Spannung max. 5 V dc
Konfiguration Single
Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. 2,5 V dc
Länge 10.53mm
Betriebstemperatur max. +150 °C
Höhe 9.28mm
Abmessungen 10.53 x 4.83 x 9.28mm
Breite 4.83mm
Betriebstemperatur min. –65 °C
15 lieferbar innerhalb von 5 Werktagen.
Preis pro: 1 Packung mit 10 Stück
CHF .8.542
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