onsemi BDX54BG THT, PNP Digitaler Transistor 80 V dc, TO-220 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 186-7953
- Herst. Teile-Nr.:
- BDX54BG
- Marke:
- onsemi
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 186-7953
- Herst. Teile-Nr.:
- BDX54BG
- Marke:
- onsemi
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
Der Bipolartransistor mit 8 A, 100 V, 65 W PNP Darlington, ist für allgemeine und langsame Schaltanwendungen konzipiert. Die BDX53B, BDX53C, BDX54B und BDX54C sind ergänzende Geräte.
Hohe DC-Stromverstärkung hFE = 2500 (Typ) bei IC = 4,0 Adc
Kollektor-Emitter-Haltespannung bei 100 mADC VCEO(sus) = 80 Vdc (min.) BDX53B, 54B VCEO(sus) = 100 Vdc (min.) - BDX53C, 54C
Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VCE(sat) = 2,0 Vdc (max.) @ IC = 3,0 Adc VCE(sat) = 4,0 Vdc (max.) @ IC = 5,0 Adc
Monolithische Konstruktion mit integrierten Shunt-Widerständen mit Base-Emitter
Zu-220AB Kompaktgehäuse
Bleifreie Gehäuse sind verfügbar
Kollektor-Emitter-Haltespannung bei 100 mADC VCEO(sus) = 80 Vdc (min.) BDX53B, 54B VCEO(sus) = 100 Vdc (min.) - BDX53C, 54C
Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VCE(sat) = 2,0 Vdc (max.) @ IC = 3,0 Adc VCE(sat) = 4,0 Vdc (max.) @ IC = 5,0 Adc
Monolithische Konstruktion mit integrierten Shunt-Widerständen mit Base-Emitter
Zu-220AB Kompaktgehäuse
Bleifreie Gehäuse sind verfügbar
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Transistor-Typ | PNP |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 80 V dc |
| Gehäusegröße | TO-220 |
| Montage-Typ | THT |
| Verlustleistung max. | 65 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Basis-Emitter Spannung max. | 5 V dc |
| Pinanzahl | 3 |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Abmessungen | 10.53 x 4.83 x 9.28mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |