- RS Best.-Nr.:
- 186-7957
- Herst. Teile-Nr.:
- MJD44H11RLG
- Marke:
- onsemi
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- onsemi
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- VN
Produktdetails
Der Bipolar-Leistungstransistor ist für allgemeine Leistungs- und Schaltausgänge oder Treiberstufen in Anwendungen wie Schaltreglern, Wandlern und Leistungsverstärkern ausgelegt.
Kabel für Oberflächenmontage in Kunststoffhülsen (ohne Suffix)
Ausführung mit geraden Ableitungen in Kunststoffhülsen ("-1" Suffix)
Ausführung mit Vorband in 16-mm-Band und Rolle für Oberflächenmontage (Suffix "T4")
Elektrisch ähnlich wie bei den gängigen Serien D44H/D45H
Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VCE(sat) = 1,0 Volt Max. Bei 8,0 Ampere
Hohe Schaltgeschwindigkeiten
Komplementäre Paare Vereinfachen Designs
NJV-Präfix für Automobil- und andere Anwendungen, die besondere Anforderungen an Standort- und Kontrolländerungen erfordern, PPAP-fähig
Diese Geräte sind pbfrei
Ausführung mit geraden Ableitungen in Kunststoffhülsen ("-1" Suffix)
Ausführung mit Vorband in 16-mm-Band und Rolle für Oberflächenmontage (Suffix "T4")
Elektrisch ähnlich wie bei den gängigen Serien D44H/D45H
Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VCE(sat) = 1,0 Volt Max. Bei 8,0 Ampere
Hohe Schaltgeschwindigkeiten
Komplementäre Paare Vereinfachen Designs
NJV-Präfix für Automobil- und andere Anwendungen, die besondere Anforderungen an Standort- und Kontrolländerungen erfordern, PPAP-fähig
Diese Geräte sind pbfrei
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Transistor-Typ | NPN |
Kollektor-Emitter-Spannung | 80 V dc |
Gehäusegröße | DPAK (TO-252) |
Montage-Typ | SMD |
Verlustleistung max. | 20 W |
Gleichstromverstärkung min. | 60 |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Basis-Emitter Spannung max. | 5 V dc |
Pinanzahl | 2 + Tab |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Abmessungen | 6.73 x 6.22 x 2.25mm |